1.静穿.
2.过流/过压/过热.
品质工艺方面:
1.本身质量/品质差.
2.漏检(soa测试).
综上，当使用环境、规格符合器件使用手册的要求时，在绝大多数情况下不会发生质量问题。
选择一个合适的mos管并对其进行适当的保护和维护，可以有效地延长其使用寿命并提高其性能。在电路设计中，需要考虑到mos管的选型、电路的布局和保护措施等多个方面，以确保电路的正常运行和mos管的安全使用。
最后是选型要点：
一、选用的mosfet应具有低导通电阻
在相同的导通电流下，导通电阻越小，mosfet的功耗越小，量也越小。而导通电阻越大，其功耗越大，量也越大。在选型时应该优先选择导通电阻较小的mosfet。在实际应用中，不同的mosfet生产商对产品有不同的优化措施和加工精度等差别，同一类mos在特定的芯片加工条件下可能会实现很低的导通电阻。
二、选用的mosfet应具有高开关速度
在高频应用场合中，需要选用开关速度较高的mosfet。开关速度越快，mosfet的响应时间就越短，能够更好地适应高频应用的要求。
三、选用的mosfet应具有可靠的esd保护
esd保护是指对mosfet进行静电防护的措施。在选型时应该选择具有可靠esd保护的mosfet，以避免因静穿而导致的器件损坏。
四、考虑使用环境的特殊要求
不同的应用场合有不同的使用环境要求。在选型时需要考虑温度范围、湿度范围等因素的影响，以确保所选的mosfet能够在特定环境下稳定可靠地工作。
五、其他因素
还需要考虑生产厂家的品牌信誉和爱游戏的售后服务等，以获得更好的产品质量和爱游戏的技术支持。
关于电子元件的损伤情况，我们需要高度重视。静电损坏可能使元器件在初期如常工作，但随着时间的推移，可能会出现失效炸机，甚至gds全短路的问题。
空间等离子损伤的情况也不容忽视。轻微的损伤与静电损坏的症状相似，而严重的损伤则可能导致gds直接短路。在此提醒大家，放置mosfet或igbt/coms器件的区域，务必避免使用负离子发生器或有相关功能的空调。
漏电损伤也是常见的电子元件问题之一。多数情况下，它会表现为gds全短路，个别情况则可能出现ds或gd断路。
过驱动也是一个需要注意的问题。当驱动电压超过18v后，经过一段时间的使用，元器件可能会出现gds全断的情况。
使用负压关闭技术时，虽然可以增强mosfet的抗噪能力，但也会降低ds的耐压能力。若负压设置不当，可能会导致ds耐压不足而被击穿损坏，进而引发gds短路的问题。
栅寄生感应负压损坏也是一个需要注意的现象。这与不适当的负压驱动类似，只不过这种负压并为加上，而是由于线路中的寄生lc感应，在栅极上感应生成了负脉冲。